SI8235AB-C-IS1R

SI8235AB-C-IS1R einangrunarhliðadrifinn er afkastamikil lausn hönnuð fyrir rafeindatækni og iðnaðarnotkun. Helstu eiginleikar þess eru meðal annars tvöfaldir einangraðir ökumenn, háhraða- og há-/lághliðarvalkostir, einstakt rafsegulónæmi, sveigjanlegt inntaksval, skammvinnt friðhelgi, ofhleðsluvörn, AEC-Q100 hæfi til notkunar í bifreiðum, breitt rekstrarhitasvið og RoHS- samhæfðum pakka. Með þessum eiginleikum býður SI8235AB-C-IS1R áreiðanlega og fjölhæfa lausn fyrir nákvæmar og öflugar hliðaakstursþarfir í krefjandi umhverfi.

·Aflgjafakerfi

·Motor stýrikerfi

· Einangraðir dc-dc aflgjafar

·Ljósastýringarkerfi

·Plasmaskjáir

·Sólar- og iðnaðarinverters

Si823x einangruðu ökumannsfjölskyldan sameinar tvo sjálfstæða, einangraða ökumenn í einn pakka. Si8230/1/3/4 eru háhliðar/lághliðar ökumenn og Si8232/5/6/7/8 eru tvöfaldir ökumenn. Útgáfur með hámarksúttaksstrauma upp á 0,5 A (Si8230/1/2/7) og 4,0 A (Si8233/4/5/6/8) eru fáanlegar. Allir ökumenn vinna með hámarks framboðsspennu upp á 24 V.

The Si823x drivers utilize Silicon Labs' proprietary silicon isolation technology, which provides up to 5 kVRMS withstand voltage per UL1577 and fast 60 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage. The TTL level compatible inputs with >400 mV hysteresis er fáanlegt í einstökum stjórnunarinngangi (Si8230/2/3/5/6/7/8) eða PWM inntaksstillingum (Si8231/4). Mikil samþætting, lítil útbreiðslutöf, lítil uppsett stærð, sveigjanleiki og hagkvæmni gera Si823x fjölskylduna tilvalin fyrir fjölbreytt úrval af einangruðum MOSFET/IGBT hliðardrifum.

maq per Qat: si8235ab-c-is1r, Kína si8235ab-c-is1r framleiðendur, birgjar